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600S0R8BT250XT

Airfast RF Power GaN Transistor

This 27 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 3300 to 3800 MHz. Features • High terminal impedances for optimal broadband performance • Designed for low complexity linearization systems • Universal broadband driver •

文件:207.48 Kbytes 页数:13 Pages

恩XP

恩XP

600S0R8BT250XT

贴片电容(MLCC)

KYOCERA AVX

KYOCERA AVX

600S0R8BT250XT

Package:0603(1608 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.8PF 250V C0G/NP0 0603

American Technical Ceramics

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600S0R8BT250XT

Package:0603(1608 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.8PF 250V C0G/NP0 0603

American Technical Ceramics

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产品属性

  • 产品编号:

    600S0R8BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    ATC 600S

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗,超低 ESR

  • 应用:

    射频,微波,高频,旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0603(1608 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.063" 长 x 0.032" 宽(1.60mm x 0.81mm)

  • 厚度(最大值):

    0.035"(0.89mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.8PF 250V C0G/NP0 0603

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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CAP08PF/-01PF250V0603
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更多600S0R8BT250XT供应商 更新时间2026-2-8 16:04:00