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600F0R3BT250XT

RF Power GaN Transistor

文件:364.45 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

恩XP

600F0R3BT250XT

RF Power GaN Transistor

文件:294.88 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

恩XP

600F0R3BT250XT

RF Power GaN Transistor

文件:344.75 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

恩XP

600F0R3BT250XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:628.27 Kbytes 页数:15 Pages

恩XP

恩XP

600F0R3BT250XT

Ultra-Low ESR, High Q, NPO RF Microwave Capacitors

文件:345.5 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

600F0R3BT250XT

贴片电容(MLCC)

KYOCERA AVX

KYOCERA AVX

600F0R3BT250XT

Package:0805(2012 公制);包装:散装 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0805

American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

600F0R3BT250XT

Package:0805(2012 公制);包装:散装 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0805

American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

产品属性

  • 产品编号:

    600F0R3BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗,超低 ESR

  • 应用:

    射频,微波,高频,旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0805

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多600F0R3BT250XT供应商 更新时间2025-12-15 17:26:00