NCE6003XY芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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NCE6003XY	文件：711.16 Kbytes Page：7 Pages	丝印：6003XY；Package：SOT-23-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6003XY uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Features ● VDS =60V,ID =3A RDS(ON) 文件：711.16 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

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更多6003XY供应商更新时间2025-9-21 14:14:00