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NCE6003XM

丝印:6003XM;Package:SOT-89-3L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE6003XM uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. General Features ● VDS =60V,ID =3A RDS(ON)

文件:675.83 Kbytes 页数:7 Pages

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更多6003XM供应商 更新时间2025-9-21 14:08:00