STS5P3LLH6丝印代码丝印对应型号-114ic电子网

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STS5P3LLH6	文件：538.34 Kbytes Page：15 Pages	丝印：5K3L；Package：SO-8；P-channel 30 V, 0.048 ??typ., 5 A STripFET??H6 DeepGATE??Power MOSFET in an SO-8 package Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features • Very low on-resistance RDS(on) • Very low gate charge • High avalanche rugge 文件：538.34 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多5K3L供应商更新时间2025-9-19 8:31:00