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STS5P3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STS5P3LLH6
厂商型号

STS5P3LLH6

功能描述

P-channel 30 V, 0.048 ??typ., 5 A STripFET??H6 DeepGATE??Power MOSFET in an SO-8 package

丝印标识

5K3L

封装外壳

SO-8

文件大小

538.34 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 11:23:00

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STS5P3LLH6规格书详情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

特性 Features

• Very low on-resistance RDS(on)

• Very low gate charge

• High avalanche ruggedness

• Low gate drive power loss

Applications

• Switching applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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