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STS5P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ H6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
特性 Features
• Very low on-resistance RDS(on)
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
Applications
• Switching applications
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
SOP-8 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
2025+ |
SOP-8 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
询价 | ||
ST |
18+ |
SOP8 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
SOIC-8 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
询价 | |||
ST(意法) |
25+ |
8-SOIC(0.154 |
500000 |
询价 |
