丝印：5C466L；Package：DFN8；MOSFET ??Power, Dual, N-Channel 40 V, 7.4 m, 52 A

文件：231.12 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：5C466N；Package：DFN8；Power MOSFET 40 V, 8.1 m, 49 A, Dual N?묬hannel

文件：218.79 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：5C470L；Package：DFN8；MOSFET ??Power, Dual, N-Channel 40 V, 11.5 m, 36 A

文件：229.99 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：5C470N；Package：DFN8；MOSFET ??Power, Dual N-Channel

文件：214.9 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：5C420L；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel

文件：141 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：5C420N；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel

文件：143.27 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：5C426L；Package：DFN5；MOSFET ??Power, Single N-Channel

文件：186.76 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

普通振荡器

YL,5C,5032_4P,40.960000MHz,-15~+15ppm,-40~+85℃,5.00 x 3.20mm,3.3V,Square Wave,4Pins,CMOS • 应用类别:通用类 消费类 商业类 商业类扩展的 工业类 工业类扩展的 \n• 应用技术:压电效应 锁相环 \n• 认证:无铅环保 化学品注册、评估、许可和限制 限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令 湿气敏感性等级 (MSL1) 静电敏感器件;

FAILONG

惠伦晶体

普通振荡器

YL,5C,5032_4P,48.000000MHz,-20~+20ppm,-40~+85℃,5.00 x 3.20mm,3.3V,Square Wave,4Pins,CMOS • 应用类别:通用类 消费类 商业类 商业类扩展的 工业类 工业类扩展的 \n• 应用技术:压电效应 锁相环 \n• 认证:无铅环保 化学品注册、评估、许可和限制 限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令 湿气敏感性等级 (MSL1) 静电敏感器件;

FAILONG

惠伦晶体

普通振荡器

YL,5C,5032_4P,48.000000MHz,-20~+20ppm,-20~+105℃,5.00 x 3.20mm,3.3V,Square Wave,4Pins,CMOS • 应用类别:通用类 消费类 商业类 商业类扩展的 工业类 工业类扩展的 \n• 应用技术:压电效应 锁相环 \n• 认证:无铅环保 化学品注册、评估、许可和限制 限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令 湿气敏感性等级 (MSL1) 静电敏感器件;

FAILONG

惠伦晶体