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560	文件：663.22 Kbytes Page：6 Pages	型号：7447720560；WE-TI Radial Leaded Wire Wound Inductor GeneralProperties: Itisrecommendedthatthetemperatureofthecomponentdoesnotexceed+125°Cunderworst caseconditions AmbientTemperature(referingto IR)-40upto+85°C OperatingTemperature-40upto+125°C StorageConditions(inoriginal packaging)	WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany. 伍尔特伍尔特集团
560	文件：824.25 Kbytes Page：8 Pages	型号：784373170560；WE-LHCA SMT High Current Inductor GeneralInformation: AmbientTemperature(referring toIRP)-55°Cupto+115°C OperatingTemperature-55°Cupto+155°C StorageConditions(inoriginal packaging)	WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany. 伍尔特伍尔特集团
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560	文件：569.75 Kbytes Page：7 Pages	型号：FMMT560QTA；Package：SOT23；500V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT23 Features BVCEO>-500V IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent ICMUpto-500mAPeakPulseCurrent ExcellenthFECharacteristicsuptoIC=-100mA TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheFMMT560Qissuitableforaut	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
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560	文件：506.55 Kbytes Page：5 Pages	型号：FSB560；Package：SSOT-3L；PN Low-Saturation Transistor Features •Thesedevicesaredesignedwithhigh-currentgainandlow-saturation voltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
560	文件：635.21 Kbytes Page：7 Pages	型号：BPSC00060630560MS0；This specification applies to SMD Shielded Power Choke	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
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