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NTD3055L104T4G

丝印:55L104;Package:TO-252;60V N -Channel MOSFET

Features • Lower RDS(on) • Lower VDS(on) • Tighter VSD Specification • Lower Diode Reverse Recovery Time • Lower Reverse Recovery Stored Charge

文件:440.66 Kbytes 页数:7 Pages

UMW

友台半导体

详细参数

  • 型号:

    55L104

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 12A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多55L104供应商 更新时间2025-9-19 11:35:00