首页>NTD3055L104T4G>规格书详情
NTD3055L104T4G中文资料友台半导体数据手册PDF规格书
NTD3055L104T4G规格书详情
Features
• Lower RDS(on)
• Lower VDS(on)
• Tighter VSD Specification
• Lower Diode Reverse Recovery Time
• Lower Reverse Recovery Stored Charge
产品属性
- 型号:
NTD3055L104T4G
- 功能描述:
MOSFET 60V 12A N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
DPAK |
185 |
1715 |
只做原装正品,现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252-2(DPAK) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO252 |
2100 |
只做原装,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
原厂 |
2020+ |
TO-252 |
20000 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO252 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO252-2 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
9990 |
只有原装 |
询价 |