55GN01M数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
55GN01M |
参数属性 | 55GN01M 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP |
功能描述 | Pico-GET Series |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-10 16:01:00 |
人工找货 | 55GN01M价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
55GN01M规格书详情
简介
55GN01M属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的55GN01M晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
55GN01MA-TL-E
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
4.5GHz ~ 5.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.9dB @ 1GHz
- 增益:
10dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值:
400mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
70mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
3-MCP
- 描述:
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
24+ |
SOT-323 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
SANYO |
19+ |
SOT-323 |
20000 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT323 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT323 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
SANYO |
09+PB |
SOT-323 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-323 |
120000 |
只做原装 可免费提供样品 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
3-MCP |
55740 |
询价 |