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55GN01C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

55GN01C

参数属性

55GN01C 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

功能描述

Pico-GET Series
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 16:01:00

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55GN01C规格书详情

简介

55GN01C属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的55GN01C晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

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  • 产品编号:

    55GN01CA-TB-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益:

    9.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    3-CP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO
24+
SOT-23
5000
全新原装正品,现货销售
询价
SANYO/三洋
25+
SOT23-3
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
PANASONIC
23+
SOT23
5000
原装正品,假一罚十
询价
SANYO
23+
SOT23-3
999999
原装正品现货量大可订货
询价
SANYO
19+
SOT23-3
20000
6000
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON/安森美
2447
SOT23
100500
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ON/安森美
23+
SMD
7000
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原装SANYO
23+
SOT-23
5000
专注配单,只做原装进口现货
询价
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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