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55GN01CA中文资料RF Transistor, NPN Single, 10 V, 70 mA, fT = 5.5 GHz数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

55GN01CA

参数属性

55GN01CA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

功能描述

RF Transistor, NPN Single, 10 V, 70 mA, fT = 5.5 GHz
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:23:00

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55GN01CA规格书详情

描述 Description

55GN01CA is RF Transistor, 10 V, 70 mA, fT = 5.5 GHz, NPN Single CP for UHF wide-band, low noise amplifiers.

特性 Features

• High cutoff frequency : fT=5.5GHz(typ)
• High gain : Forward Transfer Gain = 9.5dB(typ) [f=1GHz]

简介

55GN01CA属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的55GN01CA晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :55GN01CA

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.07

  • VCEO(sus) Min (V)

    :10

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :180

  • PTM Max (W)

    :0.2

  • fT Min (MHz)

    :3000

  • NF Typ. (dB)

    :1.9

  • |S21e| 2 Typ. (dB)

    :9.5

  • Package Type

    :SC-59-3/CP-3

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