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50N06	文件：1.25018 Mbytes Page：6 Pages	丝印：50N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS = 60V,ID =50A RDS(ON),12mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired 文件：1.25018 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	丝印：50N06；Package：TO-220C；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：812.59 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	丝印：50N06；Package：TO-220C；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：808.72 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	丝印：50N06；Package：TO-220C；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：807.77 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	丝印：50N06；Package：TO-220C；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：808.18 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
50N06	文件：807.99 Kbytes Page：10 Pages	丝印：50N06；Package：TO-220C；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：807.99 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
50N06	文件：808.45 Kbytes Page：10 Pages	丝印：50N06；Package：TO-220C；50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：808.45 Kbytes 页数：10 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
50N06	文件：1.57913 Mbytes Page：6 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description The 50N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) wi th low gate charge. It ca n be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =50A RDS(ON),12mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology 文件：1.57913 Mbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
50N06	文件：145.94 Kbytes Page：8 Pages	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod 文件：145.94 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
50N06	文件：330.9 Kbytes Page：8 Pages	50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.9 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±20
ID(A)：
50
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：
23
CISSTYP.(pF)：
1200
COSSTYP.(pF)：
580
CRSSTYP.(pF)：
180
QgTYP.(nC)：
145
QgsTYP.(nC)：
10
QgdTYP.(nC)：
36
VGS(th)(V)MIN.：
2
VGS(th)(V)MAX.：
4
TrrTYP.(nS)：
90
QrrTYP.(nC)：
260
Package：
TO-251_TO-252_TO-252D_TO-263_TO-220_TO-220F_TO-220F3_TO-220F1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多50N06供应商更新时间2026-4-17 11:31:00

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