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4N60ZG-TF1-T	文件：202.8 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：202.8 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
4N60ZG-TF3-T	文件：359.97 Kbytes Page：8 Pages	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：359.97 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
4N60ZL-TF1-T	文件：202.8 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：202.8 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
4N60ZL-TF1-T	文件：202.8 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：202.8 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
4N60ZL-TF3-T	文件：359.97 Kbytes Page：8 Pages	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：359.97 Kbytes 页数：8 Pages	UTC 友顺	UTC
4N60ZL-TN3-R	文件：1.8 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.8 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
SVF4N60CADTR	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：4N60CAD；Package：TO-252-2L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVF4N60CAMJ	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：4N60CAMJ；Package：TO-251J-3L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
SVF4N60CAMN	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	丝印：4N60CAMN；Package：TO-251N-3L；4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state res 文件：411.7 Kbytes 页数：12 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
YFW4N60A1	文件：1.06546 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4N60AT；Package：TO-220AB；4A 600V N-channel enhanced field effect transistor 文件：1.06546 Mbytes 页数：7 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE

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技术参数

Vdss(V)：
650
Vgss(V)：
30
Id(A)：
4
Package：
TO-251/TO-252/TO-220...

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市锦达世纪科技有限公司	4N60	华晶	14+	TO-251	5000	全新原装	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	4N60	AT	2025+	TO251	3000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
深圳市一线半导体有限公司	4N60	仙童	24+		9000		询价
深圳市益百分电子有限公司	4N60	FAI	13+	T0252	2500	原装现货价格有优势量大可以发货	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	4N60	SEMIHOW	2602+	TO220	5642	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市勤思达科技有限公司	4N60	仙童	1215+	TO-252	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市弘为电子有限公司	4N60	AAT	24+	TO-220/F	50000	原装现货假一罚十	询价
上海专毅电子科技有限公司	4N60	UTC	24+	TO-252	9888	全新原装现货QQ:547425301手机17621633780杨小姐	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	4N60	英飞凌/安诚瑞	25+		5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
上海意淼电子科技有限公司	4N60	AAT	26+	TO-220/F	12000	全新原装假一赔十	询价

更多4N60供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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