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AO4612

丝印:4612;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 4.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:2.54125 Mbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

AO4612-HF

丝印:4612;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 4.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:4.0017 Mbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

KO4612

丝印:4612;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 4.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:2.54125 Mbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

KO4612-HF

丝印:4612;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 4.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:4.0017 Mbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

HM4612

丝印:4612;Package:SOP-8;N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:721.17 Kbytes 页数:5 Pages

HMSEMI

华之美半导体

3DD4612DM-O-M-N-C

丝印:4612DM;Package:TO-126;HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件:317.13 Kbytes 页数:6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD4612DM-R-M-N-C

丝印:4612DM;Package:TO-126;HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件:317.13 Kbytes 页数:6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD4612DT-O-T-B-A

丝印:4612DT;Package:TO-92;HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件:317.13 Kbytes 页数:6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD4612DT-O-T-N-C

丝印:4612DT;Package:TO-92;HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件:317.13 Kbytes 页数:6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

3DD4612DT-R-T-B-A

丝印:4612DT;Package:TO-92;HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件:317.13 Kbytes 页数:6 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    4612

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多4612供应商 更新时间2025-9-21 10:02:00