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AO4622	文件：1.98075 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4622；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 20V ID = 7.3 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 文件：1.98075 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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3DD4622HI-O-I-N-C	文件：298.76 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4622HI；Package：TO-251；HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：298.76 Kbytes 页数：7 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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3DD4622HT-O-T-B-A	文件：298.76 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4622HT；Package：TO-92；HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：298.76 Kbytes 页数：7 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD4622HT-O-T-N-C	文件：298.76 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4622HT；Package：TO-92；HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：298.76 Kbytes 页数：7 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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详细参数

型号：
4622
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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