丝印：4612；Package：SOP-8；N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：721.17 Kbytes 页数：5 Pages

HMSEMI

华之美半导体

Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 4.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件：2.54125 Mbytes 页数：7 Pages

KEXIN

科信电子

Complementary Trench MOSFET

■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 4.5 A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件：4.0017 Mbytes 页数：7 Pages

KEXIN

科信电子

Plug-in Signal Conditioners K-UNIT

文件：157.46 Kbytes 页数：6 Pages

MSYSTEM

爱模