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丝印：4032SP；Package：SO8；30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ Optimized switching time ■ High collector current capab 文件：837.72 Kbytes 页数：15 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA | ||
丝印：4032SPN；Package：SO8；30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * Optimized switching time * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area t 文件：1.17075 Mbytes 页数：20 Pages | NEXPERIA 安世 | NEXPERIA |
详细参数
- 型号：
4032SP
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual PNP -30V -4.8A 0.73W 115MHz
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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