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Marking：4032SP；Package：SO8；30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：4032SPN；Package：SO8；30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SILICON |
20+ |
射频元件 |
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SILICON LABS/芯科 |
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SILICON |
KIT |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
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SILICON |
KIT |
22+ |
56000 |
全新原装进口,假一罚十 |
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进口原装 |
23+ |
QFN |
1398 |
优势库存 |
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TI |
23+ |
DIP16 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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Abbatron/HHSmith |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
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Abbatron / HH Smith |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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TI |
23+ |
NA |
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