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PBSS4032SPN	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4032SPN - 30 V, 5.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor; ·High collector current capability IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High energy efficiency due to less heat generation\n·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·Optimized switching time\n·Smaller required PCB area than for conventional transistors\n; 30 V, 5.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor - NPN /PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PBSS4032SPN	文件：220.41 Kbytes Page：20 Pages	30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPN/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT96-1(SO8)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Optimizedswitchingtime ■Highcollectorcurrentcapab
PBSS4032SPN	文件：1.17075 Mbytes Page：20 Pages	丝印：4032SPN；Package：SO8；30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4032SPN_15	文件：533.49 Kbytes Page：20 Pages	30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4041PZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SOT-223	恩XP 相关企业：深圳市金嘉锐电子有限公司	恩XP

技术参数

Package version：
SOT96-1
Package name：
SO8
Size (mm)：
4.9 x 3.9 x 1.75
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
number of transistors：
2
P_tot [max] (mW)：
1399.9999999999999
V_CEO [max] (V)：
30
I_C [max] (A)：
5.7
V_CEsat [max] (NPN) (mV)：
250
V_CEsat [max] (PNP) (mV)：
-390
R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)：
98.000000000000004
h_FE [min]：
300
f_T [typ] (MHz)：
140

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