| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Marking：4032SPN；Package：SO8；30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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