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4032SPN

型号:PBSS4032SPN;Package:SO8;30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

Features and benefits * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * Optimized switching time * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area t

文件:1.17075 Mbytes 页数:20 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

  • 型号:

    4032SPN

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Dual +/-30V ’+5.7A -5.7A 0.73W 140MHz

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多4032SPN供应商 更新时间2025-8-5 15:16:00