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4032SN	文件：1.03696 Mbytes Page：15 Pages	型号：PBSS4032SN；Package：SO8；30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Optimizedswitchingtime HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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4032SN

文件：1.03696 Mbytes

Page：15 Pages

型号：PBSS4032SN；Package：SO8；30 V, 5.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor

Featuresandbenefits *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Optimizedswitchingtime *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areat

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
4032SN
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual NPN 30V 5.7A 0.73W 140MHz
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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