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FQD3N40TM	文件：236.28 Kbytes Page：2 Pages	TO252-3L,JEDECOPTIONAA,PACKINGCONFIGURATIONFigure1.0	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FQI3N40	文件：733.83 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3N40	文件：716.01 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF3N40	文件：719.14 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •1.6A,400V,RDS(on)=3.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical6.0nC) •LowCrss(typical4.2pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N40	文件：717.46 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N40	文件：330.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU3N40TU	文件：367.97 Kbytes Page：1 Pages	I-PAKTubePackingConfiguration	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK3N40D	文件：642.1 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N40I	文件：642.1 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N40S	文件：689.67 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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