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3N108 | NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS 文件：148.75 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 文件：360.06 Kbytes 页数：6 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode 文件：104.45 Kbytes 页数：6 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode General Description This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, providing a compact power solution for battery power management and DC/DC converter applications. 文件：111.49 Kbytes 页数：7 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD |
详细参数
- 型号：
3N108
- 制造商：
NJSEMI
- 制造商全称：
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
- 功能描述：
NPN/PNP DUAL EMITTER CHOPPER BI-POLAR TRANSISTORS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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