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3N161

DIODE PROTECTED P-CHANNEL ENGANCEMENT MODE MOSFET GENERAL PUROPSE AMPLIFIER/SWITCH

Diode Protected P-Channel Engancement Mode MOSFET General Puropse Amplifier/Switch

文件:43.58 Kbytes 页数:1 Pages

INTERSIL

3N161

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

文件:4.13074 Mbytes 页数:122 Pages

INTERSIL

3N161

MOSFETS

Calogic

3N161_15

Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:29.88 Kbytes 页数:1 Pages

CALOGIC

技术参数

  • Breakdown V Min:

    -25

  • IGSS (pA) Max:

     

  • IDSS (nA) Max:

    -10

  • VGS (V) Min:

    -4.5

  • VGS (V) Max:

    -8

  • RDS (on) (Ohm) Max:

     

  • Comments:

    Diode Protected

  • Channel:

    P-Channel Enhancement Mode

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更多3N161供应商 更新时间2026-1-17 13:30:00