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FDFC3N108中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDFC3N108
厂商型号

FDFC3N108

功能描述

N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode

文件大小

111.49 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:55:00

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FDFC3N108规格书详情

General Description

This N-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It is combined with a low forward drop Schottky that is isolated from the MOSFET, providing a compact power solution for battery power management and DC/DC converter applications.

特性 Features

• 3 A, 20 V RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V

• Low gate charge

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

Applications

• Battery management/Charger Application

• DC/DC Conversion

产品属性

  • 型号:

    FDFC3N108

  • 功能描述:

    MOSFET 20V N-Ch 1.8V Spec PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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