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3N173

P-CHANNEL JFET

GENERAL INFORMATION/CROSS REFERENCES

文件:4.13074 Mbytes 页数:122 Pages

INTERSIL

3N173

Diode Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch

FEATURES • High Input Impedance • Diode Protected Gate

文件:33.24 Kbytes 页数:2 Pages

CALOGIC

3N173

(SINGLE, DUAL) MOS FET P-CHANNEL, ENHANCEMENT

MOS/FET/P-CHANNEL, ENHANCEMENT, SINGLE DUAL MOS/FET/P-CHANNEL, ENHANCEMENT

文件:123.84 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

3N173

Diode Protected P-Channel

文件:41.62 Kbytes 页数:2 Pages

CALOGIC

3N173

MOSFETS

Calogic

技术参数

  • Breakdown V Min:

    -30

  • IGSS (pA) Max:

    -500

  • IDSS (nA) Max:

    -10

  • VGS (V) Min:

    -2.5

  • VGS (V) Max:

    -6.5

  • RDS (on) (Ohm) Max:

    350

  • Comments:

    High Imput Impedance

  • Channel:

    P-Channel Enhancement Mode

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更多3N173供应商 更新时间2026-3-9 13:31:00