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3LN01C-TB-E	文件：437.34 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LN01C-TB-E	文件：259.32 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LN01C-TB-H	文件：437.34 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LN01C-TB-H	文件：259.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LN01M	文件：41.23 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LN01M	文件：53.63 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LN01M	文件：170.21 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELSILICONMOSFETGENERAL-PURPOSESWITCHINGDEVICEAPPLICATIONS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3LN01M	文件：301.88 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LN01M	文件：1.01238 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
3LN01M-TL-E	文件：301.88 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
3LN01C-TB-E
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多3LN01C-TB-E供应商更新时间2025-5-28 19:08:00

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