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3LN01C-TB-E

N-Channel Small Signal MOSFET

文件:259.32 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

3LN01C-TB-E

General-Purpose Switching Device Applications

文件:437.34 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

3LN01C-TB-H

N-Channel Small Signal MOSFET

文件:259.32 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

3LN01C-TB-H

General-Purpose Switching Device Applications

文件:437.34 Kbytes 页数:7 Pages

SANYO

三洋

3LN01M

Ultrahigh-Speed Switching Applications

文件:41.23 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

详细参数

  • 型号:

    3LN01C-TB-E

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-23
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SOT-23
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SOT-23
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SOT23
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SANYO/三洋
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更多3LN01C-TB-E供应商 更新时间2025-10-11 15:14:00