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3LN01C-TB-H	文件：259.32 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Small Signal MOSFET 文件：259.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
3LN01C-TB-H	文件：437.34 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：437.34 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LN01M	文件：41.23 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications 文件：41.23 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LN01M	文件：170.21 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS 文件：170.21 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
3LN01M	文件：53.63 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：53.63 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO

详细参数

型号：
3LN01C-TB-H
功能描述：
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多3LN01C-TB-H供应商更新时间2025-10-5 9:03:00

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