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3LN01C-TB-H中文资料三洋数据手册PDF规格书

3LN01C-TB-H
厂商型号

3LN01C-TB-H

功能描述

General-Purpose Switching Device Applications

文件大小

437.34 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Sanyo Semicon Device
企业简称

SANYO三洋

中文名称

三洋电机株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 23:01:00

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产品属性

  • 型号:

    3LN01C-TB-H

  • 功能描述:

    MOSFET SWITCHING DEVICE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SANYO/三洋
24+
NA/
134500
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