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3LN01M-TL-E

Small Signal MOSFET

文件:301.88 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

3LN01S

Ultrahigh-Speed Switching Applications

文件:27.87 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

3LN01SP

3LN01SP

文件:38.99 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

3LN01SS

Ultrahigh-Speed Switching Applications

文件:30.27 Kbytes 页数:4 Pages

SANYO

三洋

详细参数

  • 型号:

    3LN01M-TL-E

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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SOT323
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更多3LN01M-TL-E供应商 更新时间2026-4-19 8:31:00