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3LP01C-TB-H	文件：437.53 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LP01C-TB-H	文件：259.66 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Small Signal MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LP01M	文件：265.92 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelSmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LP01M	文件：28.18 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFET	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LP01M-TL-E	文件：451.47 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LP01M-TL-E	文件：265.92 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelSmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LP01M-TL-H	文件：451.47 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LP01M-TL-H	文件：265.92 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelSmallSignalMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3LP01N	文件：38.51 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
3LP01S	文件：980.15 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
3LP01C-TB-H
功能描述：
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多3LP01C-TB-H供应商更新时间2025-5-12 18:25:00

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