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3DD15	文件：190.89 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min.)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD155	文件：300.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15-120@IC=1A ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB&WTVhorizontaloutput,regulatedpower supplyandpowe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD1555	文件：150.5 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY FEATURES ●3DD1555ishighbreakdown voltageofNPNbipolartransistor. Themainprocessofmanufacture: highvoltagemesatypeprocess, triplediffusedprocessetc., adoptionoffullyplasticpackge. RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontaldeflectionoutputforcolo	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD1555-O-A-N-D	文件：150.5 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555 FOR LOW FREQUENCY FEATURES ●3DD1555ishighbreakdown voltageofNPNbipolartransistor. Themainprocessofmanufacture: highvoltagemesatypeprocess, triplediffusedprocessetc., adoptionoffullyplasticpackge. RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontaldeflectionoutputforcolo	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD1556	文件：150.78 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1556 FOR LOW FREQUENCY BVCBO1500V IC6A VCE(sat)5V(max) tf1μs(max) FEATURES ●3DD1556ishighbreakdownvoltageofNPNbipolartransistor.Themainprocessofmanufacture:highvoltagemesatypeprocess,triplediffusedprocessetc.,adoptionoffullyplasticpackge.RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontal	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD1556-O-A-N-D	文件：150.78 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1556 FOR LOW FREQUENCY BVCBO1500V IC6A VCE(sat)5V(max) tf1μs(max) FEATURES ●3DD1556ishighbreakdownvoltageofNPNbipolartransistor.Themainprocessofmanufacture:highvoltagemesatypeprocess,triplediffusedprocessetc.,adoptionoffullyplasticpackge.RoHSproduct. APPLICATIONS ●Horizontal	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD15D	文件：281.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD1555	文件：267.87 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD1555A	文件：150.58 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555A FOR LOW FREQUENCY	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD1555A-O-A-N-D	文件：150.58 Kbytes Page：6 Pages	CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD1555A FOR LOW FREQUENCY	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
3DD15
功能描述：
3DD1545硅NPN型高反压大功率晶体管=2SD1545

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	3DD15		24+	TO-3	10000	全新	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	3DD15		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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更多3DD15供应商更新时间2025-5-29 16:01:00

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