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IRFN3710	文件：46.66 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFP3710	文件：185.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.025W,Id=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP3710	文件：334.79 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FullyAvalancheRated •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤25mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP3710PBF	文件：233.93 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.025廓,ID=57A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP3710PBF	文件：234.89 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710Z	文件：218.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710Z	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3710ZPBF	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.26598 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：275.12 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZPBF	文件：4.26849 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZTRL	文件：4.70307 Mbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3710ZTRLPbF	文件：688.61 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturesco	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFR3710ZTRLPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZTRPBF	文件：365.44 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFR3710ZTRPBF	文件：1.02463 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU3710Z	文件：247.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
3710PDB
制造商：
PINS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	3710S	IR	22+	2018+	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	3710S	IR	23+	2018+	8000	只做原装现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	3711	JRC	2023+	N/A	8700	原装现货	询价
上海金庆电子技术有限公司	37110	ProtektivePak	新		57	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	37110	Protektive Pak	2022+		53	全新原装货期两周	询价
深圳市易讯博科技有限公司	37110	Desco	22+	NA	12080	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	3711-000001	N/A	14+	SMD	552		询价
深圳市辰德隆电子科技有限公司	3711-000001	N/A	23+	SMD	6000	只有原装正品,老板发话合适就出	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	3711-000001	N/A	24+	SMD	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	3711000005N0	-	23+	连接器	10500	专业做连接器接插件原装进口公司现货	询价

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