| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳信泰电子器材有限公司10年
留言
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INFINEONTO252 |
25000 |
22+ |
十佳优质供应商，十年信誉，只做全新原装正品现货，以优势说话！ |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IRD-PAK |
4000 |
13+ |
原装现货,假一赔百 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
25000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONNA |
36871 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONSOP |
29129 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
16048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-252-2(DPAK) |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOT-252 |
65400 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
20316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-252 |
35000 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINE0NTO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
IRFR3710Z采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR3710Z图片
IRFR3710ZPBF价格
IRFR3710ZPBF价格：￥2.1874品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFR3710ZPBF多少钱，想知道IRFR3710ZPBF价格是多少？参考价：￥2.1874。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR3710ZPBF批发价格及采购报价，IRFR3710ZPBF销售排行榜及行情走势，IRFR3710ZPBF报价。
IRFR3710ZTRPBF资讯
IRFR3710ZTRPBF分立半导体产品新到现货
型号：IRFR3710ZTRPBF 制造商 InfineonTechnologies 描述 MOSFETN-CH100V42ADPAK 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 ?湿气敏感性等级（MSL）1（无限） 详细描述表面贴装型-N-通道-100V-42A（Tc）-140W（Tc）-D-Pak 零件状态有源
IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF
IRFR3710ZTRPBF 大量原装到货
IRFR3710ZTRPBFTO-252
IRFR3710ZTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR3710Z制造商:International Rectifier
IRFR3710ZHR制造商:International Rectifier 功能描述:100V 42.000A HR LEADED - Rail/Tube
IRFR3710ZPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3710ZTR功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3710ZTRL功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR3710ZTRLPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3710ZTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR3710ZTRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 100 V 140 W 69 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
