关键词：IRFR3710ZTRPBF 先进的工艺技术
描述：
这HEXFET®功率MOSFET利用最新的加工技术，以实现极低导通电阻每硅片面积。另外这种设计的特点是一个175 ℃的结工作温度，快速开关速度和改进型重复雪崩额定值。这些特点相结合，使这个设计非常高效，可靠的装置用于在一个宽的使用各种应用程序。
特点：
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
多种封装选择
LEAD -FREE
IRFR3710ZTRPBF 大量原装到货
2018-4-24 14:44:00
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IRFR3710ZTRPBF TO-252
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