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FL-3105	文件：113.66 Kbytes Page：2 Pages	1310nmLASERDIODESUNCOOLEDMQW-FPLASERDIODES	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
FL-3105S	文件：113.66 Kbytes Page：2 Pages	1310nmLASERDIODESUNCOOLEDMQW-FPLASERDIODES	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
HM3105	文件：474.49 Kbytes Page：9 Pages	5A180KHz36VBuckDCtoDCConverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3105B	文件：581.7 Kbytes Page：10 Pages	8A180KHz40VBuckDCtoDCConverter	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-3105	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
HO-P-3105	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 莱姆电子（中国）有限公司	LEM
IIRLR3105	文件：334.62 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRLR3105	文件：169.12 Kbytes Page：8 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3105	文件：169.12 Kbytes Page：8 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRLR3105PBF	文件：327.71 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3105PBF	文件：327.71 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3105PBF	文件：308.56 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3105TRPBF	文件：327.71 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3105TRPBF	文件：988.46 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLU3105	文件：246.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLU3105	文件：169.12 Kbytes Page：8 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3105PBF	文件：308.56 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3105PBF	文件：327.71 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescom	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
LTC3105	文件：405.87 Kbytes Page：18 Pages	PiezoelectricEnergyHarvestingPowerSupplywith14VMinimumVIN	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER

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详细参数

型号：
3105-G
功能描述：
化学物质 Advanex 20 Lube
RoHS：
否
制造商：
3M Electronic Specialty
产品：
Adhesives
类型：
Epoxy Compound
大小：
1.7 oz
外壳：
Plastic Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多3105-G供应商更新时间2024-6-5 10:08:00

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