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IIRLR3105	文件：169.12 Kbytes Page：8 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：169.12 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IIRLR3105	文件：334.62 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Transistor 文件：334.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIRLR3105	文件：300 bytes Page：1 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLR3105	文件：169.12 Kbytes Page：8 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET 文件：169.12 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLR3105	文件：334.62 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：334.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLR3105PBF	文件：308.56 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features com 文件：308.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

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