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30N06A	文件：1.30625 Mbytes Page：7 Pages	型号：30N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
30N06A	文件：1.45959 Mbytes Page：7 Pages	型号：30N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GeneralDescription The30N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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型号：30N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

30N06A

文件：1.45959 Mbytes

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型号：30N06；Package：TO-252；60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GeneralDescription The30N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

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详细参数

型号：
30N06A
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
60V, 30A N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多30N06A供应商更新时间2025-7-30 10:12:00

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