2STR1160中文资料低压快速切换NPN功率晶体管数据手册ST规格书

描述 Description

The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

The complementary PNP is the 2STR2160.

特性 Features

• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast switching speed
• Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

简介

2STR1160属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2STR1160晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。