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2STN1550数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2STN1550

参数属性

2STN1550 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 5A SOT223

功能描述

低压高性能NPN功率晶体管
TRANS NPN 50V 5A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:00:00

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2STN1550规格书详情

描述 Description

The 2STF1550 and 2STN1550 are NPN transistors manufactured using new \\\"PB-HCD\\\" (Power bipolar high current density) technology.

The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Very low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed
• High current gain characteristic
• Surface mounting devices in medium power SOT-89 and SOT-223 packages

简介

2STN1550属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STN1550晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2STN1550

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SOT-223

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :50

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :50

  • Collector Current_max(A)

    :5

  • Dc Current Gain_min

    :135

  • Dc Current Gain_max

    :400

  • Test Condition for hFE (IC)

    :2

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :2

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.45

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :300

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