2STN1550数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2STN1550 |
参数属性 | 2STN1550 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 5A SOT223 |
功能描述 | 低压高性能NPN功率晶体管 |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 11:00:00 |
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2STN1550规格书详情
描述 Description
The 2STF1550 and 2STN1550 are NPN transistors manufactured using new \\\"PB-HCD\\\" (Power bipolar high current density) technology.
The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed
• High current gain characteristic
• Surface mounting devices in medium power SOT-89 and SOT-223 packages
简介
2STN1550属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STN1550晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2STN1550
- 生产厂家
:ST
- Package
:SOT-223
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:50
- Collector-Base Voltage_max(V)
:50
- Collector Current_max(A)
:5
- Dc Current Gain_min
:135
- Dc Current Gain_max
:400
- Test Condition for hFE (IC)
:2
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:2
- VCE(sat)_max(V)
:0.45
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:300
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
SOT-223-4 |
11855 |
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STM进口原装 |
25+23+ |
SOT-223 |
16703 |
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ST/意法 |
23+ |
SOT-223 |
8500 |
原厂原装正品 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST |
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ST |
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ST/意法 |
22+ |
SOT-223 |
17700 |
原装正品 |
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STMicroelectronics |
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ST |
17+ |
SOT-223 |
2000 |
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