2STF1360数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF
2STF1360规格书详情
描述 Description
This device is an NPN transistor manufactured using new low voltage planar technology with double metal process. The result is a transistor which boasts exceptionally high gain performance coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP types are the 2STD2360T4, the 2STF2360 and the 2STN2360.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast-switching speed
简介
2STF1360属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STF1360晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2STF1360
- 生产厂家
:ST
- Package
:SOT-89
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
:60
- Collector-Base Voltage_max(V)
:80
- Collector Current_max(A)
:3
- Dc Current Gain_min
:160
- Dc Current Gain_max
:400
- Test Condition for hFE (IC)
:1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:2
- VCE(sat)_max(V)
:0.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:150
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