2STA1943中文资料High power PNP epitaxial planar bipolar transistor数据手册ST规格书

厂商型号 |
2STA1943 |
参数属性 | 2STA1943 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 230V 15A TO264 |
功能描述 | High power PNP epitaxial planar bipolar transistor |
封装外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 12:22:00 |
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2STA1943规格书详情
描述 Description
This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity behaviour.
特性 Features
High breakdown voltage V
CEO > -230V
Fast-switching speed
Complementary to 2STC5200
Typical f
T= 30MHz
简介
2STA1943属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STA1943晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
2STA1943
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 800mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
5µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 1A,5V
- 频率 - 跃迁:
30MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-264-3,TO-264AA
- 供应商器件封装:
TO-264
- 描述:
TRANS PNP 230V 15A TO264
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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