2ST31A中文资料低压NPN功率晶体管数据手册ST规格书
2ST31A规格书详情
描述 Description
The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows high gain performance coupled with low saturation voltage.
特性 Features
• High switching speed
• Good performances in terms of hFElinearity
简介
2ST31A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2ST31A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2ST31A
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:60
- Collector-Base Voltage_max(V)
:60
- Collector Current_max(A)
:3
- Dc Current Gain_min
:25
- Test Condition for hFE (IC)
:1
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:4
- VCE(sat)_max(V)
:1.2
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:375
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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