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2STD1665数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2STD1665

参数属性

2STD1665 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 65V 6A DPAK

功能描述

低压快速切换NPN功率晶体管
TRANS NPN 65V 6A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:40:00

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2STD1665规格书详情

描述 Description

The device is a low voltage NPN transistor with exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. It is designed in planar technology with \"base island\" layout.

特性 Features

• Very low collector to emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast-switching speed

简介

2STD1665属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STD1665晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2STD1665

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :DPAK

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :65

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :150

  • Collector Current_max(A)

    :6

  • Dc Current Gain_min

    :90

  • Test Condition for hFE (IC)

    :5

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :1

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.38

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :6

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :150

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