2STD1665数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
2STD1665 |
参数属性 | 2STD1665 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 65V 6A DPAK |
功能描述 | 低压快速切换NPN功率晶体管 |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 9:40:00 |
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2STD1665规格书详情
描述 Description
The device is a low voltage NPN transistor with exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. It is designed in planar technology with \"base island\" layout.
特性 Features
• Very low collector to emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast-switching speed
简介
2STD1665属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STD1665晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2STD1665
- 生产厂家
:ST
- Package
:DPAK
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
:65
- Collector-Base Voltage_max(V)
:150
- Collector Current_max(A)
:6
- Dc Current Gain_min
:90
- Test Condition for hFE (IC)
:5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:1
- VCE(sat)_max(V)
:0.38
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:6
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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