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2STD1665	文件：268.72 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low collector saturation voltage • High current gain characteristics • Fast-switching speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Voltage regulators • High efficiency low voltage switchin 文件：268.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2STD1665	文件：281.1 Kbytes Page：12 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured in NPN Planar Technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Very low collector to emitter saturation volatage ■ High current gain chara 文件：281.1 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665	文件：220.25 Kbytes Page：11 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor 文件：220.25 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压快速切换NPN功率晶体管 The device is a low voltage NPN transistor with exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. It is designed in planar technology with \"base island\" layout. • Very low collector to emitter saturation voltage \n• High current gain characteristic \n• Fast-switching speed;	ST 意法半导体	ST
2STD1665-1	文件：281.1 Kbytes Page：12 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured in NPN Planar Technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Very low collector to emitter saturation volatage ■ High current gain chara 文件：281.1 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665T4	文件：281.1 Kbytes Page：12 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured in NPN Planar Technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ Very low collector to emitter saturation volatage ■ High current gain chara 文件：281.1 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665_08	文件：220.25 Kbytes Page：11 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor 文件：220.25 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665-1	文件：220.25 Kbytes Page：11 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor 文件：220.25 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665T4	文件：220.25 Kbytes Page：11 Pages	Low voltage fast-switching NPN power transistor 文件：220.25 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2STD1665T4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 65V 6A DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
DPAK
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Emitter Voltage_nom(V)：
65
Collector-Base Voltage_max(V)：
150
Collector Current_max(A)：
6
Dc Current Gain_min：
90
Test Condition for hFE (IC)：
5
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
1
VCE(sat)_max(V)：
0.38
Test Condition for VCE(sat) - IC：
6
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
150

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更多2STD1665供应商更新时间2025-10-8 11:04:00

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