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2STF2360数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2STF2360

参数属性

2STF2360 封装/外壳为TO-243AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

功能描述

低压快速切换PNP功率晶体管
TRANS PNP 60V 3A SOT89-3

封装外壳

TO-243AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 13:10:00

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2STF2360规格书详情

描述 Description

The device is PNP transistor manufactured using new “PB-HDC” (power bipolar high density current) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast-switching speed

简介

2STF2360属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2STF2360晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2STF2360

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SOT-89

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :PNP

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :60

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :60

  • Collector Current_max(A)

    :3

  • Dc Current Gain_min

    :160

  • Dc Current Gain_max

    :400

  • Test Condition for hFE (IC)

    :1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :2

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.5

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :150

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