2STP535FP中文资料NPN功率达林顿晶体管数据手册ST规格书

| 厂商型号 |
2STP535FP |
| 参数属性 | 2STP535FP 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 180V 8A TO220FP |
| 功能描述 | NPN功率达林顿晶体管 |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-20 14:16:00 |
| 人工找货 | 2STP535FP价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2STP535FP规格书详情
描述 Description
The 2STP535FP is a planar NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in TO-220FP fully isolated package.
特性 Features
• Monolithic Darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode
• Very high DC current gain
简介
2STP535FP属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ST制造生产的2STP535FP晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:2STP535FP
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:180
- Collector-Base Voltage_max(V)
:180
- Dc Current Gain_min
:1000
- Dc Current Gain_max
:20000
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220FP-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
2020+ |
TO-220FP-3 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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STM |
24+ |
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ST/意法半导体 |
25 |
TO-220FP-3 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
2815 |
只做正品 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220FP-3 |
20000 |
现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220FP-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220FP-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 |

