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2SK896	文件：347.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：347.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	Power Integrations 上传：深圳市跃创芯科技有限公司	Power Integrations

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更多2SK896供应商更新时间2026-10-24 16:30:00