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2SK900	文件：129.289 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features ● High speed switching ● Low on-resistance ● No secondary breakdown ● Low driving power Applications ● UPS ● DC-DC converters ● General purpose power amplifier 文件：129.289 Kbytes 页数：4 Pages	FUJI 富士通	FUJI
2SK900	文件：332.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.3Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：332.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK900	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FUJI 富士通	FUJI
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2SK941	文件：0 bytes Page：0 Pages	to-92	tos 上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	tos

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更多2SK900供应商更新时间2026-10-25 10:50:00